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SiA817EDJ數(shù)據(jù)手冊Vishay中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SiA817EDJ

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 8:31:00

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技術參數(shù)

  • 型號:

    SIA817EDJ

  • 功能描述:

    MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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