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SGP23N60UFD數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
SGP23N60UFD |
| 參數(shù)屬性 | SGP23N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 100W TO220 |
| 功能描述 | 600V，PT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-19 23:01:00 |
| 人工找貨 | SGP23N60UFD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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描述 Description
安森美半導(dǎo)體的 UD 系列絕緣門極雙極晶體管 (IGBT) 提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。UFD 系列適用于電機控制和通用逆變器等高速開關(guān)為必需特性的應(yīng)用。
特性 Features
?高速開關(guān)
?低飽和電壓： VCE(sat)=2.1 V @ I C=12 A
?高輸入阻抗
?CO-PAK、IGBT 及 FRD： rr=42 ns（典型值）
應(yīng)用 Application
? 其他工業(yè)
簡介
SGP23N60UFD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGP23N60UFD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
SGP23N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，12A
- 開關(guān)能量：
115μJ（開），135μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
17ns/60ns
- 測試條件：
300V，12A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 23A 100W TO220
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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