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SGP15N60XKSA1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
SGP15N60XKSA1 |
| 參數(shù)屬性 | SGP15N60XKSA1 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 139W TO220-3 |
| 功能描述 | IGBT 600V 31A 139W TO220-3 |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-19 17:53:00 |
| 人工找貨 | SGP15N60XKSA1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SGP15N60XKSA1規(guī)格書詳情
簡(jiǎn)介
SGP15N60XKSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGP15N60XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：SGP15N60XKSA1
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：600V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：31A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
：62A
- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
：2.4V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值
：139W
- 開(kāi)關(guān)能量
：570μJ
- 輸入類型
：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷
：76nC
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值
：32ns/234ns
- 測(cè)試條件
：400V，15A，21 歐姆，15V
- 工作溫度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型
：通孔
- 封裝/外殼
：TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝
：PG-TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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