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首頁>SGP20N60>規(guī)格書詳情

SGP20N60數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號(hào)

SGP20N60

參數(shù)屬性

SGP20N60 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 179W TO220-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 600V 40A 179W TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 16:56:00

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SGP20N60規(guī)格書詳情

描述 Description

Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies.

特性 Features

·30% lower E off compared to previous generation
·Short circuit withstand time – 10μs
·Designed for operation above 30kHz
·High ruggedness, temperature stable behaviour
·Pb-free lead plating; RoHS compliant
·Qualified according to JEDEC for target applications

簡介

SGP20N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGP20N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :SGP20N60

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Switching Frequency?min?max

    :10.0kHz?40.0kHz

  • Package?

    :TO-220

  • Voltage Class?max

    :600.0V

  • IC(@100°)?max

    :20.0A

  • IC(@25°)?max

    :40.0A

  • ICpuls?max

    :80.0A

  • Ptot?max

    :179.0W

  • VCE(sat)?

    :2.4V?

  • Eon?

    :0.67mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?

    :0.49mJ?

  • td(on)?

    :36.0ns?

  • tr?

    :30.0ns?

  • td(off)?

    :250.0ns?

  • tf?

    :63.0ns?

  • QGate?

    :100.0nC?

  • VCE?max

    :600.0V

  • Switching Frequency?

    :Fast IGBT 10-40 kHz

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
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