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PHD21N06LT中文資料無錫固電數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

PHD21N06LT
廠商型號

PHD21N06LT

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.29 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網址

網址

數(shù)據手冊

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更新時間

2025-9-6 17:52:00

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PHD21N06LT規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

產品屬性

  • 型號:

    PHD21N06LT

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TRENCH-55

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
10+
TO-252
1980
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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PHI
25+
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全新原裝、誠信經營、公司現(xiàn)貨銷售!
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恩XP
10+P
TO-252
1985
深圳原裝進口無鉛現(xiàn)貨
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TO-252
504352
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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