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PHB24N03T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHB24N03T
廠商型號(hào)

PHB24N03T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

61.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 15:39:00

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PHB24N03T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

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