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PHB20N06T中文資料安世數據手冊PDF規(guī)格書

PHB20N06T
廠商型號

PHB20N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

862.31 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-2 16:30:00

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PHB20N06T規(guī)格書詳情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

產品屬性

  • 型號:

    PHB20N06T

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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