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PHB20NQ20T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHB20NQ20T
廠商型號

PHB20NQ20T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

103.48 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-22 17:02:00

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PHB20NQ20T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.

The PHP20NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB20NQ20T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Very low on-state resistance

? Fast switching

? Low thermal resistance

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHB20NQ20T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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