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PHB21N06LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PHB21N06LT |
| 功能描述 | N-channel TrenchMOS? transistor Logic level FET |
| 文件大小 |
233.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 16:40:00 |
| 人工找貨 | PHB21N06LT價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PHB21N06LT規(guī)格書詳情
FEATURES
? ’Trench’ technology
? Low on-state resistance
? Fast switching
? Logic level compatible
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
Applications:-
? d.c. to d.c. converters
? switched mode power supplies
The PHP21N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The PHB21N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.
The PHD21N06LT is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PHB21N06LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
TO263 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售! |
詢價(jià) | ||
PHI |
24+ |
5000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | |||
PHI |
2402+ |
N/A |
8324 |
原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)! |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
PHI |
2025+ |
TO263 |
4165 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
PHI |
25+23+ |
TO263 |
69296 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PH |
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | |||
PHI |
08+ |
5000 |
普通 |
詢價(jià) |
