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PHB18NQ10T中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
PHB18NQ10T |
功能描述 | N-channel TrenchMOS standard level FET |
文件大小 |
908.48 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-13 22:59:00 |
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PHB18NQ10T規(guī)格書詳情
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
? Higher operating power due to low
thermal resistance
? Low conduction losses due to low
on-state resistance
? Suitable for high frequency
applications due to fast switching
characteristics
1.3 Applications
? DC-to-DC converters ? Switched-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號:
PHB18NQ10T
- 功能描述:
MOSFET TRENCH-100
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
1300 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT404 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
PHI |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
恩XP |
25+ |
TO263 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
恩XP |
25+23+ |
TO-263 |
28011 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
恩XP |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原裝,正品 |
詢價 | ||
恩XP |
08+ |
TO-263 |
376 |
詢價 | |||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
504477 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 |