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PD57018-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57018-E
廠商型號

PD57018-E

參數(shù)屬性

PD57018-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

文件大小

944.64 Kbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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PD57018-E規(guī)格書詳情

PD57018-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD57018-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD57018-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 額定電流(安培):

    2.5A

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
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