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PD57002S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
PD57002S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57002S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
358.52 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
23 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 9:13:00 |
| 人工找貨 | PD57002S-E價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD57002S-E規(guī)格書詳情
PD57002S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57002S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1 GHz. The device is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for digital cellular BTS applications requiring high linearity.
特性 Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 2 W with 15dB gain @ 960 MHz / 28 V
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD57002S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
250mA
- 功率 - 輸出：
2W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
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