PD57002S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57002S |
| 參數(shù)屬性 | PD57002S 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
131.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 14:32:00 |
| 人工找貨 | PD57002S價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD57002S規(guī)格書詳情
PD57002S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57002S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF
VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications
HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT
VHF / UHF radio applications
HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages
UHF TV and digital cellular BTS applications
2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57002S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
250mA
- 功率 - 輸出：
2W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
PowerSO10RF (Straight Lead) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
9350 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST |
2023+ |
TO-270 |
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詢價 | ||
ST |
23+ |
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ST |
2511 |
原廠原封 |
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ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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ST |
24+ |
貼片 |
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ST/意法 |
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NA |
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