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PD57006S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
PD57006S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57006S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
22 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 11:20:00 |
| 人工找貨 | PD57006S-E價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多PD57006S-E規(guī)格書(shū)詳情
PD57006S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57006S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD57006S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤(pán)
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1A
- 功率 - 輸出：
6W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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