PD57006-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PD57006-E |
參數(shù)屬性 | PD57006-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線);包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) |
文件大小 |
512.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
22 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-18 18:14:00 |
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PD57006-E規(guī)格書詳情
PD57006-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57006-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PD57006-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
945MHz
- 增益:
15dB
- 額定電流(安培):
1A
- 功率 - 輸出:
6W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(成形引線)
- 描述:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST |
25+ |
原廠原封 |
16900 |
原裝,請咨詢 |
詢價 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
STMICROEL |
24+ |
SMD |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
94800 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
2406+ |
11260 |
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詢價 | ||||
ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
32560 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 |