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NVBG040N120M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVBG040N120M3S
廠商型號(hào)

NVBG040N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

絲印標(biāo)識(shí)

BG040N120M3S

封裝外殼

D2PAK-7L

文件大小

231.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-6 12:00:00

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NVBG040N120M3S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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