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NVBG025N065SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVBG025N065SC1
廠商型號

NVBG025N065SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

文件大小

222.81 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 12:00:00

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NVBG025N065SC1規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC)

? Low Output Capacitance (Coss = 278 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? RoHS Compliant

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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