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NVBG020N120SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NVBG020N120SC1_V01
廠商型號(hào)

NVBG020N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

323.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 12:00:00

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NVBG020N120SC1_V01規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 20 m

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 220 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 258 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC?DC Converter for EV/HEV

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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