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NVBG022N120M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVBG022N120M3S
廠商型號

NVBG022N120M3S

功能描述

MOSFET - Silicon Carbide (SiC), Single N-Channel, M3, D2PAK-7L 1200 V, 22 m, 58 A

絲印標(biāo)識

BG022N120M3S

封裝外殼

D2PAK-7L

文件大小

232.19 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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NVBG022N120M3S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 148 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 148 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

? Automotive Traction Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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