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NE429M01-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE429M01-T1
廠商型號(hào)

NE429M01-T1

功能描述

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

50.82 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-26 20:00:00

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NE429M01-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS, TVRO and another commercial systems.

FEATURES

? Super low noise figure & High associated gain

NF = 0.9 dB TYP., Ga = 10 dB TYP. @ f = 12 GHz

? 6-pin super minimold package

? Gate width: Wg = 200μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE429M01-T1

  • 功能描述:

    MOSFET Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
2680
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
NEC
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詢價(jià)
NEC
07PB
SOT-363
673
詢價(jià)
NEC
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SMT36
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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SOT-363
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