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NE334S01-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE334S01-T1 |
| 功能描述 | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
74.21 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEC |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 15:22:00 |
| 人工找貨 | NE334S01-T1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE334S01-T1規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
? VERY LOW NOISE FIGURE:
0.25 dB TYP at 4 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN:
16.0 dB TYP at 4 GHz
? GATE WIDTH: 280 μm
? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE334S01-T1
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SMT86 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
NEC |
2447 |
SMT86 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2022+ |
SMT86 |
20000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SMT86 |
154828 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅 |
詢價(jià) | ||
NEC |
21+ |
SMT86 |
3848 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
SMT |
18192 |
RENESAS/瑞薩原裝特價(jià)NE334S01-T1即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
03+ |
CAN |
853 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2023+ |
CAN |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2020+ |
SMT86 |
18600 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) |
