NE334S01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE334S01 |
| 功能描述 | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
74.21 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NEC |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 19:29:00 |
| 人工找貨 | NE334S01價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE334S01規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
? VERY LOW NOISE FIGURE:
0.25 dB TYP at 4 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN:
16.0 dB TYP at 4 GHz
? GATE WIDTH: 280 μm
? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE334S01
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
20+ |
SMT |
49000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
03+ |
CAN |
853 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
21+ |
SMT86 |
3848 |
詢價(jià) | |||
NEC |
06+ |
SMT86 |
15 |
詢價(jià) | |||
NEC |
2450+ |
SMT76 |
6540 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!終端客戶免費(fèi)申請(qǐng)樣品! |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
26000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
NEC |
SMT86 |
9850 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
NEC |
25+23+ |
SMT86 |
6738 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
