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NE32500M中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE32500M
廠商型號

NE32500M

功能描述

C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP

文件大小

87.48 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-31 23:00:00

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NE32500M規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE32500 is a Hetero-Junction FET chip that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial systems and industrial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.45 dB TYP at 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB TYP at 12 GHz

? GATE LENGTH: LG = 0.20 μm

? GATE WIDTH: WG = 200 μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE32500M

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全稱:

    CEL

  • 功能描述:

    C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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