首頁>NE3210S01-T1>規(guī)格書詳情
NE3210S01-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3210S01-T1 |
| 參數(shù)屬性 | NE3210S01-T1 封裝/外殼為4-SMD；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 12GHZ S01 |
| 功能描述 | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD |
| 文件大小 |
62.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-28 23:00:00 |
| 人工找貨 | NE3210S01-T1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE3210S01-T1規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 160 μm
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NE3210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
15mA
- 噪聲系數(shù)：
0.35dB
- 封裝/外殼：
4-SMD
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMD
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ S01
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
2500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
2016+ |
SMT-86 |
2500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
NEC |
20+ |
SMT86 |
49000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
20000 |
全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！ |
詢價 | ||
Renesas瑞薩 |
2019 |
SMT-86 |
36 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SMT-86 |
30000 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
NE3210S01-T1 |
125 |
125 |
詢價 | ||||
2017+ |
SMD |
6528 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價 |
