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NE3210S01-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3210S01-T1B |
| 參數(shù)屬性 | NE3210S01-T1B 封裝/外殼為4-SMD；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 12GHZ S01 |
| 功能描述 | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD |
| 文件大小 |
414.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | CEL California Eastern Labs |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 18:25:00 |
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NE3210S01-T1B規(guī)格書詳情
NE3210S01-T1B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3210S01-T1B晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
15mA
- 噪聲系數(shù)：
0.35dB
- 封裝/外殼：
4-SMD
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMD
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ S01
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
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