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IXGT32N90B2D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXGT32N90B2D1
廠商型號(hào)

IXGT32N90B2D1

參數(shù)屬性

IXGT32N90B2D1 封裝/外殼為T(mén)O-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 64A 300W TO268

功能描述

HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IGBT 900V 64A 300W TO268

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

225.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 22:30:00

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IXGT32N90B2D1規(guī)格書(shū)詳情

IXGT32N90B2D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGT32N90B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

B2-Class High Speed IGBTs with Ultrafast Diode

特性 Features

? High frequency IGBT

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

? PFC circuits

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switched-mode and resonant-mode

power supplies

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

Advantages

? High power density

? Very fast switching speeds for high

frequency applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGT32N90B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,32A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.2mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    20ns/260ns

  • 測(cè)試條件:

    720V,32A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 900V 64A 300W TO268

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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