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IXGT30N120B3D1中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXGT30N120B3D1
廠商型號

IXGT30N120B3D1

功能描述

GenX3 1200V IGBT

文件大小

221.58 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 18:29:00

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IXGT30N120B3D1規(guī)格書詳情

High speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz switching

VCES = 1200V

IC110 = 30A

VCE(sat) ≤£ 3.5V

Tfi(typ) = 204ns

特性 Features

Optimized for low conduction and switching losses

Square RBSOA

Anti-parallel ultra fast diode

International standard packages

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Welding Machines

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXGT30N120B3D1

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 60 Amps 1200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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