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IXGT31N60D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGT31N60D1
廠商型號

IXGT31N60D1

參數(shù)屬性

IXGT31N60D1 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 150W TO268

功能描述

Ultra-Low V IGBT with Diode
IGBT 600V 60A 150W TO268

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

57.32 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 17:39:00

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IXGT31N60D1規(guī)格書詳情

IXGT31N60D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGT31N60D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? IGBT and anti-parallel FRED in one package

? Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses

? MOS Gate turn-on - drive simplicity

? Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

? Space savings (two devices in one package)

? Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

? Reduces assembly time and cost

? High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGT31N60D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,31A

  • 開關(guān)能量:

    6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    15ns/400ns

  • 測試條件:

    480V,31A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 150W TO268

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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