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IXGT32N60BD1中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXGT32N60BD1
廠商型號(hào)

IXGT32N60BD1

功能描述

HiPerFAST IGBT

文件大小

132.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 18:06:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXGT32N60BD1

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.3 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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