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IXBF9N160G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXBF9N160G
廠商型號(hào)

IXBF9N160G

參數(shù)屬性

IXBF9N160G 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

功能描述

Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

封裝外殼

i4-Pac?-5(3 引線)

文件大小

88.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 18:38:00

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IXBF9N160G規(guī)格書(shū)詳情

IXBF9N160G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBF9N160G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

High Voltage BIMOSFET? in High Voltage ISOPLUS i4-PAC?

Monolithic Bipolar MOS Transistor

特性 Features

? High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control 10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency operation

- reverse conduction capability

? ISOPLUS i4-PACTM high voltage package

- isolated back surface

- enlarged creepage towards heatsink

- enlarged creepage between high voltage pins

- application friendly pinout

- high reliability

- industry standard outline

Applications

? switched mode power supplies

? DC-DC converters

? resonant converters

? lamp ballasts

? laser generators, x ray generators

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBF9N160G

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    7V @ 15V,5A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    960V,5A,27 歐姆,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5(3 引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT 1600V 7A 70W I4PAC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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