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IRGBC40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC40
廠商型號(hào)

IRGBC40

參數(shù)屬性

IRGBC40 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

237.32 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 23:01:00

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IRGBC40規(guī)格書詳情

描述 Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor control and other applications requiring short circuit withstand capability.

特性 Features

? Short circuit rated - 10μs @ 125°C, V GE = 15V

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGBC40U

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
IR
23+
TO-220
35890
詢價(jià)
IOR
25+
TO220
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
IRC
40
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
IR
22+
TO
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
IR
23+
TO
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
23+
TO
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IR
22+
TO
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
IR
24+
TO220
60000
詢價(jià)