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IRGBC30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC30
廠商型號(hào)

IRGBC30

參數(shù)屬性

IRGBC30 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

246.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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IRGBC30規(guī)格書詳情

描述 Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

特性 Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGBC30FD2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,17A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
IR
24+
TO-220
7000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
詢價(jià)
IR
23+
TO-220
35890
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INTERNATIONA
05+
原廠原裝
5566
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)
IOR
24+
TO-220
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
詢價(jià)
IR
24+
TO-220-3
8866
詢價(jià)
IR
23+
TO
13800
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
Infineon Technologies
25+
TO-220-3
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IR
23+
TO220
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)