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IRGBC30K-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRGBC30K-S
廠商型號(hào)

IRGBC30K-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)

文件大小

266.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-5 17:12:00

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IRGBC30K-S規(guī)格書詳情

描述 Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high current applications.

特性 Features

? Short circuit rated - 10μs @ 125°C, VGE= 15V

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRGBC30K-S

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全稱:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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TO
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