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IRGBC30UD2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC30UD2
廠商型號

IRGBC30UD2

參數(shù)屬性

IRGBC30UD2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

413.88 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-3 19:10:00

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IRGBC30UD2規(guī)格書詳情

描述 Description

Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power supply applications.

特性 Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? HEXFREDTM soft ultrafast diodes

? Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGBC30UD2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,12A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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