IRGB8B60K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRGB8B60K |
參數(shù)屬性 | IRGB8B60K 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 28A 167W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
468.97 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-21 23:01:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRGB8B60KPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,8A
- 開關(guān)能量:
160μJ(開),160μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
23ns/140ns
- 測(cè)試條件:
400V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 28A 167W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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