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IRGB4B60KPBF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGB4B60KPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRGB4B60KPBF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 12A 63W TO220A |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
324.07 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產廠商 | IRF |
| 網址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRGB4B60KPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRGB4B60KPBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
? Lead-Free.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產品屬性
- 產品編號：
IRGB4B60KPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
- 開關能量：
130μJ（開），83μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/100ns
- 測試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 12A 63W TO220A
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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