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IRGB4B60KPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB4B60KPBF
廠商型號

IRGB4B60KPBF

參數(shù)屬性

IRGB4B60KPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 12A 63W TO220A

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

366.25 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 14:50:00

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IRGB4B60KPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

? Lead-Free.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGB4B60KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 開關(guān)能量:

    130μJ(開),83μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    22ns/100ns

  • 測試條件:

    400V,4A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 63W TO220A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IR
1738+
TO-220
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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IR
24+
TO-220-3
127
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
INFINEON/IR
2023+
TO-220
8635
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店
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IR
24+
TO220
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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IR
24+
NA/
170
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
IR
23+
TO-220
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IR
2015+
TO-220AB
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
詢價