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IRGB6B60K分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB6B60K
廠商型號

IRGB6B60K

參數(shù)屬性

IRGB6B60K 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 13A 90W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

245.45 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 8:31:00

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IRGB6B60K規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGB6B60KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    110μJ(開),135μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/215ns

  • 測試條件:

    400V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 90W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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