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IRG4PSC71U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PSC71U
廠商型號

IRG4PSC71U

參數(shù)屬性

IRG4PSC71U 封裝/外殼為TO-274AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 85A 350W SUPER247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)

封裝外殼

TO-274AA

文件大小

151.71 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 9:47:00

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IRG4PSC71U規(guī)格書詳情

UltraFast Speed IGBT

特性 Features

? UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations

? Industry-benchmark Super-247 package with higher power handling capability compared to same footprint TO-247

? Creepage distance increased to 5.35mm

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? Maximum power density, twice the power handling of the TO-247, less space than TO-264

? IGBTs optimized for specific application conditions

? Cost and space saving in designs that require multiple, paralleled IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PSC71UPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    420μJ(開),1.99mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    34ns/56ns

  • 測試條件:

    480V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-274AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SUPER-247?(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 600V 85A 350W SUPER247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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