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IRG4PH50UDPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH50UDPBF
廠商型號

IRG4PH50UDPBF

參數(shù)屬性

IRG4PH50UDPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

686.17 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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IRG4PH50UDPBF規(guī)格書詳情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode

? New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package

? Lead-Free

Benefits

? Higher switching frequency capability than competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PH50UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.7V @ 15V,24A

  • 開關能量:

    2.1mJ(開),1.5mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    47ns/110ns

  • 測試條件:

    800V,24A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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