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IRG4PSC71KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4PSC71KD
廠商型號(hào)

IRG4PSC71KD

參數(shù)屬性

IRG4PSC71KD 封裝/外殼為TO-274AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 85A 350W SUPER247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)

封裝外殼

TO-274AA

文件大小

196.11 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-11 20:00:00

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IRG4PSC71KD規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Hole-less clip/pressure mount package compatible with TO-247 and TO-264, with reinforced pins

? High abort circuit rating IGBTs, optimized for motorcontrol

? Minimum switching losses combined with low conduction losses

? Tightest parameter distribution

? IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery antiparallel diode

? Creepage distance increased to 5.35mm

Benefits

? Highest current rating copack IGBT

? Maximum power density, twice the power handling of the TO-247, less space than TO-264

? HEXFREDTM diode optimized for operation with IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PSC71KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,60A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    3.95mJ(開(kāi)),2.33mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    82ns/282ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-274AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SUPER-247?(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 600V 85A 350W SUPER247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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