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IRG4BC30FD-S

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package; ? 對中等工作頻率進(jìn)行了優(yōu)化\n? 參數(shù)分布更緊湊，效率更高\n? 與 HEXFREDTM超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT\n? 無鉛\n\n優(yōu)勢:\n? IGBT 提供可實現(xiàn)的出色效率\n? 針對特定應(yīng)用條件進(jìn)行過優(yōu)化的 IGBT\n? HEXFRED 二極管與 IGBT 并用優(yōu)化?；謴?fù)特性最小化，對緩沖的要求更少甚至不需要。\n? 旨在“直接替代”同等行業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的第三代 IR IGBT\n;

600V IGBT 與 hyperfast 1-8 kHz 二極管聯(lián)合封裝到 D2-Pak 封裝中\(zhòng)n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30FD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F-STRLP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

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IRG4BC30K

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • Technology?：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency?min?max：

    1.0kHz?8.0kHz

  • Package?：

    D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class?max：

    600.0V

  • IC(@100°)?max：

    17.0A

  • IC(@25°)?max：

    31.0A

  • ICpuls?max：

    124.0A

  • Ptot?max：

    100.0W

  • VCE(sat)?：

    1.59V?

  • Eon?：

    0.63mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?：

    1.39mJ?

  • td(on)?：

    42.0ns?

  • tr?：

    26.0ns?

  • td(off)?：

    230.0ns?

  • tf?：

    160.0ns?

  • QGate?：

    51.0nC?

  • IF?max：

    120.0A

  • VF?：

    1.4V?

  • Qrr?：

    80.0nC?

  • Irrm?：

    3.5A?

  • Moisture Sensitivity Level?：

    1

  • Ets??(max)：

    2.02mJ?(3.9mJ)

  • VCE?max：

    600.0V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
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TO-263
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全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
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只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
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23+
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