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IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

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IRG4BC30F-STRLP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

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IRG4BC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30FD-SPBF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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承若只做進口原裝正品假一賠十!
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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原裝現(xiàn)貨,量大可定
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International Rectifier
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全新原裝 貨期兩周
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INFINEON/英飛凌
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SMD
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更多IRG4BC30FD-SPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 11:04:00

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