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IRG4BC20UDSTRRP中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4BC20UDSTRRP
廠商型號

IRG4BC20UDSTRRP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

256.209 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-6 20:00:00

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特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies

8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant

mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies

available

? Optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for

equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRG4BC20UDSTRRP

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 600V 13A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
NA/
13888
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
Infineon
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N/A
6
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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NA
30000
房間原裝現(xiàn)貨特價熱賣,有單詳談
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Infineon Technologies
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TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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D2PAK
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D2PAK
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原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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23+
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Infineon Technologies
23+
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7000
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