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IRG4BC20SDPBF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20SDPBF
廠商型號

IRG4BC20SDPBF

參數(shù)屬性

IRG4BC20SDPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

325.61 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-6 16:30:00

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IRG4BC20SDPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A

? S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.

? Very Tight Vce(on) distribution

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard TO-220AB package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses

產品屬性

  • 產品編號:

    IRG4BC20SDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    320μJ(開),2.58mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    62ns/690ns

  • 測試條件:

    480V,10A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 19A 60W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
TO-220-3
1494
詢價
IR
23+
TO-220
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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25+23+
TO-220
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增
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23+24
TO-220
29840
主營MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管
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2008
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TO-220
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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