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IRG4BC20MDS	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-SPBF	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20S	文件：157.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SD	文件：287.8 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SDPBF	文件：325.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SDS	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SD-S	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRF International Rectifier	IRF

技術(shù)參數(shù)

Technology?：
IGBT Gen 4
Switching Frequency?min?max：
8.0kHz?30.0kHz
Package?：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class?max：
600.0V
IC(@100°)?max：
9.0A
IC(@25°)?max：
16.0A
ICpuls?max：
32.0A
Ptot?max：
60.0W
VCE(sat)?：
2.27V?
Eon?：
0.34mJ?
Eoff(Hard Switching)?：
0.3mJ?
td(on)?：
54.0ns?
tr?：
34.0ns?
td(off)?：
180.0ns?
tf?：
72.0ns?
QGate?：
34.0nC?
IF?max：
32.0A
VF?：
1.4V?
Qrr?：
65.0nC?
Irrm?：
3.5A?
Ets??(max)：
0.64mJ?(0.96mJ)
Moisture Sensitivity Level?：
1
VCE?max：
600.0V

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