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IRG4BC20S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC20S

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4BC20S

600V DC-1 kHz（標(biāo)準(zhǔn)）分立 IGBT，采用 TO-220AB 封裝;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20S

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para

IRF

International Rectifier

IRG4BC20SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio

IRF

International Rectifier

IRG4BC20SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC20SD

600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20SDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC20SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC20S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    120μJ（開(kāi)），2.05mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    27ns/540ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，10A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 19A 60W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO 220
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更多IRG4BC20S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 13:33:00

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