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IRG4BC20UD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterpara- meterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4BC20UD-SPBF

ULTRAFASTCOPACKIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC20UDSRP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

IRG4BC20UDSTRRP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

IRG4BC20UPBF

ULTRAFASTSPEEDIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC20UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generati

IRF

International Rectifier

IRG4BC20W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

IRF

International Rectifier

IRG4BC20WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc

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IRG4BC20WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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International Rectifier

IRG4BC20WS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

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International Rectifier

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4BC20FPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，9A

  • 開關能量：

    70μJ（開），600μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    24ns/190ns

  • 測試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-220
45000
IR代理原包原盒,假一罰十。最低價
 詢價
IR
24+
TO-220AB
205
詢價
Infineon
24+
NA
3557
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
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IR
1106+
TO220
6900
普通
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Infineon
1931+
N/A
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2447
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TO-220
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23+
TO-220
50000
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