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IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封裝;	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC20W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 13A 60W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WS	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W-SPBF	文件：212.93 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF_15	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2-Pak 封裝;	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IRG4BC20W
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
開關(guān)能量：
60μJ（開），80μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/110ns
測試條件：
480V，6.5A，50 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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