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IRFZ34NSTRL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFZ34NSTRL
廠商型號

IRFZ34NSTRL

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

172.54 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-14 23:01:00

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IRFZ34NSTRL規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ34NS)

● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFZ34NSTRL

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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